- 三星今年第一季度对NAND闪存的供应合约价格已上调超过100%，目前客户已收到通知。据行业知情人士透露，三星去年底已经完成了与主要客户的供应合同谈判，从一月起正式实施新的价格体系。另外，SK海力士也对NAND产品采取了类似的定价策略；存储芯片大厂SanDisk也计划在一季度将面向企业级的NAND价格上调100%。目前，三星已着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。市场研究机构TrendForce的数据显示，去年第四季度NAND闪存价格涨幅为上一季度的3
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存储 NAND DRAM 三星 SK海力士
- 生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半导体产业，却可能为汽车供应链埋下新的不确定性。 瑞银最新发布的全球汽车产业研究报告警告，受AI服务器需求暴增影响，DRAM产能正大幅向高带宽记忆体（HBM）倾斜，导致汽车级存储器面临价格上涨与供应短缺的双重压力，相关冲击预计将自2026年第二季开始逐步浮现。瑞银指出，全球三大DRAM供应商三星电子、SK海力士与美光，为追求更高的毛利率，已明确将产能重心转向AI服务器所需的HBM产品，由于汽车级DDR内存与AI芯片共享有限的硅晶圆产能，HBM产能快速扩张，势必排挤车用DR
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瑞银 DRAM 汽车
- 根据TrendForce最新的记忆现货价格趋势报告，关于DRAM的现货价格持续日复一日上涨，尽管交易依然低迷，供应商和交易员囤积库存，推动主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均价格上涨9.64%。与此同时，在NAND，尽管一些买家采取了观望态度，现货交易者对未来价格趋势持乐观态度，却拒绝降价以刺激销售。详情如下：DRAM现货价格：受强劲的合约价格上涨推动，现货价格连续日涨。然而，由于供应商和交易商不愿释放库存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已从上
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DDR4 DRAM NAND
- 据韩媒Chosun Biz援引市调机构Omdia数据，2026年三星电子的DRAM晶圆产量预计为793万片，较2025年的759万片增长约5%。SK海力士的DRAM产量则预计将从2025年的597万片提升至2026年的648万片，增幅约为8%。然而，由于技术升级至10纳米第六代DRAM（1c）制程可能引发短期产能损失，实际增产幅度或低于预期。美光的年产量预计维持在约360万片，与2025年持平。尽管三大DRAM厂商的产能均有所增加，但与市场需求相比仍存在显著差距。韩国KB证券分析显示，客户端DRAM需求的
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DRAM 供应
- 华硕发布了一段18秒的预告视频，展示了其即将推出的Neo主板，旨在与市场上最好的主板竞争。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本将为AMD的AM5平台带来显著的生活质量升级，目前AM5平台拥有一些最优秀的CPU。硬件界又到了令人兴奋的时代，品牌们准备在CES 2026上发布最新创新产品。紧随MSI和技嘉发布Max和X3D更新之后，华硕凭借备受期待的Neo系列登上了聚光灯下。虽然“Neo”代表新或近期，但这些即将推出的AMD主板很可能继续基于AM
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AM5“Neo”主板 华硕Neo主板 CES 2026 NitroPath DRAM
- 随着人工智能基础设施的逐步扩充，内存供应紧张，价格飙升。《商业时报》援引行业专家的话，预测云高速内存消耗到2026年可能达到3艾字节（EB）。值得注意的是，考虑到高速内存如HBM和GDDR7的“等效晶圆使用量”，报告警告称人工智能实际上可能占全球DRAM供应近20%。报告指出，3EB预计将由三个关键组成部分驱动。首先，跨主要平台——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作负载预计实时内存需求将达到约750PB。考虑到实际部署所需的冗余和安全裕度，这一
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AI DRAM HBM 存储
- 三星电子于7月完成了6代10纳米级工艺的1代1c DRAM开发后，现正推进下一代DRAM技术。据The Elec报道，三星与三星先进技术研究院（SAIT）发布了一种实现亚10纳米DRAM的新方法，可能适用于0a和0b DRAM。正如韩国新闻2024年底报道，三星计划于2025年发布第六代10纳米1c型HBM4DRAM处理器，随后于2026年推出第七代10纳米1维DRAM，并计划于2027年前推出首款亚10纳米0安DRAM。《The Elec》援引的一位业内消息人士指出，虽然该技术仍处于研究阶段，且数年内难
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三星 DRAM
- 在内存价格急剧上涨的背景下，即使是三星也感受到了压力，尽管三星内部拥有强大容量。DealSite透露，三星电子DX部门CEO兼负责人卢泰文将在2026年1月6日至9日在拉斯维加斯举行的CES 2026开幕日会面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如报道所强调的，活动期间此类会议较为罕见，但消息人士称三星请求此次会议是为了应对移动DRAM供应收紧的问题。据DealSite报道，讨论将聚焦于即将推出的Galaxy S26的LPDDR5X，因为飞涨的价格使得与三星DS部门和美光的合同尚未解决。正如Se
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三星 存储 DRAM
- 长鑫存储近日正式推出其最新的DDR5和LPDDR5X产品系列，标志着国产存储芯片技术迈上新台阶。据官方介绍，此次发布的DDR5系列产品最高速率达到8000Mbps，最高颗粒容量为24Gb，同时覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。此外，LPDDR5X移动端内存的最高速率达到10667Mbps，最高颗粒容量为16Gb，性能和容量均处于业界领先水平。长鑫存储在存储芯片领域的技术实力得到了充分体现。此次发布不仅是对自身技术积累的一次集中展示，也表明国产存储芯片已具备与国际一线厂商竞争的能力。专家指出
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长鑫存储 DDR5 LPDDR5X
- 在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存 （HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的内存领域：高带宽存储 （HBS）。正如 ETnews 报道的那样，哈佛商学院将移动 DRAM 和 NAND 相结合，以提高智能手机、平板电脑和其他移动设备的 AI 性能。报告援引消息人士解释说，SK海力士正在将低功耗宽I/O DRAM与NAND堆叠在一起，以创建HBS，它可以堆叠多达16层
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SK海力士 高带宽 存储堆叠 NAND DRAM
- 记忆体缺货一路加剧，云端服务（CSP）大厂持续扩大资本支出投入，AI排挤效应日趋严重，供应链业者透露，三星电子（Samsung Electronics）率先带头，10月DDR5 DRAM暂停合约报价，引发其他原厂相继跟进，这将导致供应链面临「断粮」，预计将延后至11月中旬，才有望恢复报价。 近期DRAM市场现货价暴涨，尤其DDR5价格已较上月底呈现「倍数跳增」，业界大叹，采购成本将呈火箭飙升。三星迟不提供合约报价 三大原厂供货策略趋严2025年10月存储器现货价格业界人士指出，尽管内存2025年第4季合约
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三星 DDR5
- 记忆体价格涨势持续升温，第四季DRAM市场可望迎来全面上修。 TrendForce最新调查指出，全球云端服务供应商（CSP）积极扩建数据中心，带动服务器用DRAM合约价走强，供应商同步调高报价意愿，使一般型DRAM价格预估涨幅由原先的8%~13%，上修至18%~23%。 惟目前合约价尚未完全开出，后续仍可能再次调升，反映出供需持续偏紧，市场气氛转趋乐观。观察近期CSP采购节奏，从原本保守转为积极，加单需求扩及多家原厂，尤其高容量、高频率规格的服务器DRAM需求上升，已出现排挤效应，推升主流产品报价稳步垫高
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DRAM TrendForce
- 在流行媒体中，“AI”通常意味着在昂贵、耗电的数据中心中运行的大型语言模型。但是，对于许多应用程序，在本地硬件上运行的较小模型更适合。自动驾驶汽车需要实时响应，没有数据传输延迟。医疗和工业应用通常依赖于无法与第三方共享的敏感数据。但是，尽管边缘 AI 应用程序可以更快、更安全，但它们的计算资源要有限得多。它们没有 TB 内存占用或有效无限的功率。对于数据中心来说，可能有些抽象的约束对边缘人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 国际内存研讨会的一篇特邀论文和随后的预印本中，ETH 计算机科学教授
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存内计算 边缘AI DRAM
- 2025年 10 月 23 日，爱达荷州博伊西市 — 在当今时代，人工智能（AI）实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在 AI 系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块）已正式送样，以积极拓展低功耗内存在
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美光 SOCAMM2 DRAM
- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）旗下品牌 Crucial® 英睿达™ 推出DDR5 Pro 超频 （OC） 6400 CL32 游戏 DRAM，进一步兑现对游戏玩家的承诺。这款新内存专为技术发烧友设计，提供 32GB 套件或 16GB 单条模块[2]，速度更快、延迟更低，且采用大胆的新设计，使外观和性能一样优越。此次发布巩固了 Cruci
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Crucial 英睿达 DDR5 Pro 美光
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